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三星与 SK 海力士竞逐 3D DRAM，争夺 AI 时代内存主导权_城市资讯网

放置）或垂直堆叠，在缩小制程时保持电容器容量。不过在技术实现方面，三星和 SK 海力士已分化出不同发展路线。三星方面计划推广 GAAFET 工艺。在处理器制造中，GAAFET 通过栅极包裹沟道来提升电流控制力；但在 DRAM 中，三星必须将 GAAFET 晶体管与电容器整合在同一单元内。为此，三星考虑借鉴 NAND 闪存的设计，把负责读写操作的控制电路置于存储阵列下方。而 SK 海力士选择了 4F

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发布时间：02:54:30